国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种混气结构及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN121344565A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种混气结构及薄膜沉积设备。混气结构包括：混气腔，设有出气口；至少一个进气罐，被设于所述混气腔内，并包括多个相互独立的缓冲腔，其中，每一所述缓冲腔分别具有对应的单向开口；以及多根进气管路，其中，每一所述进气管路的第一端分别连接至少一个气源，而其第二端穿过所述混气腔的外壁，以伸入对应的缓冲腔，并向所述对应的缓冲腔输入气体，以经由对应的单向开口向所述混气腔供气。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线条，此外企业还拥有行政许可16个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
网友称买到无座票被提醒不能在静音车厢停留，12306：高铁静音车厢不发售无座票
日韩股市大涨，日经225飙涨5%创新高，软银涨超7%，三星电子涨超5%
美运动员称代表美国参加冬奥会“情绪复杂”惹特朗普不满，网友：当下美国确有令人羞愧之处
首款骁龙8E5小平板！新款联想拯救者Y700屏幕规格公布：坚持8.8英寸
